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光譜分析用線(xiàn)性紅外陣列128LTMIx ,256LTMIx

規(guī)格:128LTMIx ,256LTMIx , 光譜分析用線(xiàn)性紅外陣列

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性能標(biāo)簽:

光譜分析用線(xiàn)性紅外陣列128LTMIx ,256LTMIx



產(chǎn)品詳細(xì)描述


焦熱電線(xiàn)性陣列LTMIx系列專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用于紅外光譜分析。該陣列包含一個(gè)128或256個(gè)像素的鉭酸鋰芯片,經(jīng)過(guò)這些像素元件處理產(chǎn)生的信號(hào)在一個(gè)CMOS電路中進(jìn)行處理,信號(hào)處理由模擬電路進(jìn)行,該模擬電路包含一個(gè)對(duì)每個(gè)像素進(jìn)行調(diào)制的低噪聲前置放大器、一個(gè)多路器、一個(gè)輸出放大器。焦熱電芯片和CMOS讀出電路位于一個(gè)厚薄膜基片上,這些全部安裝在密封金屬外殼內(nèi)。入射的輻射通過(guò)一個(gè)窗口或一個(gè)濾光片,達(dá)到敏感元件。該窗口或?yàn)V光片對(duì)紅外波長(zhǎng)是透明的。要測(cè)量探測(cè)器的溫度,內(nèi)置了一個(gè)AD590傳感器,提供和探測(cè)器溫度成正比的輸出電流。

和其它焦熱電探測(cè)器一樣,進(jìn)入的紅外輻射能量需要調(diào)制,才能進(jìn)行測(cè)量。

離子束蝕刻焦熱電探測(cè)器芯片及約5微米厚度確保更高的響應(yīng)率和低噪聲等效功率NEP。附加的金屬黑色涂層 (型號(hào)命名中的M)可以實(shí)現(xiàn)高效均勻的光譜吸收。帶離子束蝕刻熱隔離槽的探測(cè)器芯片(型號(hào)命名中的SL)許可以使用低調(diào)制頻率,最低到10Hz,都有優(yōu)異的信噪比。

型號(hào)和性能

1、像素為128系列的型號(hào)及特征(調(diào)制頻率128Hz)

像素128系列型號(hào)和特征 (調(diào)制頻率128 Hz)
型號(hào) 128LTMI SP0.5 128LTMI SP0.5 V3 128LTMI SL SP0.5 128LTMI SL SP0.5V3 128LTMI SP1.0
像素 128 128 128 128 128
像元寬度µm 90 90 90 90 90
像元長(zhǎng)度µm 500 500 500 500 1000
像元間距µm 100 100 100 100 100
光電性能1
響應(yīng)率 SV (10³V/W) 620 1900 620 1900 620
噪聲電壓 UN (mV) 1.2 3.2 1.2 3.2 1.9
信噪比NEP (nW) 1.9 1.7 1.9 1.7 3.0
調(diào)制傳遞函數(shù)MTF (R=3lp/mm) 0.6 0.6 0.8 0.8 0.6
SV一致性 (%) 5 5 5 5 5

2、像素為256系列的型號(hào)及特征(調(diào)制頻率128Hz) 

像素256系列型號(hào)和特征 (調(diào)制頻率128 Hz)
型號(hào) 256LTMI SP0.5 256LTMI SP0.5 V3 256LTMI SL SP0.5 256LTMI SL SP0.5V3 256LTMI SP 1.0 256LTMI SP1.0 V3
像素 256 256 256 256 256 256
像元寬度µm 42 42 42 42 42 42
像元長(zhǎng)度µm 500 500 500 500 1000 1000
像元間距µm 50 50 50 50 50 50
光電性能1
響應(yīng)率 SV (10³V/W) 710 2100 710 2100 710 2100
噪聲電壓 UN (mV) 0.9 2.2 0.9 2.2 1.1 3
信噪比NEP (nW) 1.2 1.0 1.2 1.0 1.6 1.4
調(diào)制傳遞函數(shù)MTF (R=3lp/mm) 0.6 0.6 0.8 0.8 0.6 0.6
SV一致性 (%) 5 5 5 5 5 5

3、型號(hào)及特征(調(diào)制頻率10Hz)

型號(hào)和特征 (調(diào)制頻率 10 Hz)
型號(hào) 128LTMI SL SP0.5 128LTMI SL SP0.5V3 256LTMI SL SP0.5 256LTMI SLSP0.5V
像素 128 128 256 256
像元寬度µm 90 90 42 42
像元長(zhǎng)度µm 500 500 500 500
像元間距µm 100 100 50 50
光電性能
響應(yīng)率 SV (10³V/W) 8000 24000 9100 27000
噪聲電壓 UN (mV) 1.2 3.2 0.9 2.2
信噪比NEP (nW) 0.15 0.13 0.10 0.08
調(diào)制傳遞函數(shù)MTF (R=3lp/mm) 0.3 0.3 0.3 0.3
SV一致性 (%) 5 5 5 5

 

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